продукты
1 / 2 Страницы,Всего 16 Данные Предыдущая страница | Следующая страница
Номер запчасти Производитель Описание Запасы Количество Упаковка Статус Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 14MA SC59 93000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH USV 66000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI 21000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 0.1W USM 21000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH USM 9000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 14MA SC59 15000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 14MA SC59 3000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V SC70 9000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET 2N-CH SMV 15000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 6.5MA SC59 3000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V USM 39000 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
Toshiba Semiconductor and Storage JFET N-CH 50V 6.5MA SMINI 1304 RFQ Tape & Reel (TR) Active Подробности
1 / 2 Страницы,Всего 16 Данные
JFETs
JFETs
Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.

RFQ
0
Список RFQ