JFETs - Harris Corporation - Дистрибьютор электронных компонентов

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

1 / 1 Страницы，Всего 9 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
3N187	Harris Corporation	JFET N-CH 6.5V TO72	1145	RFQ	Bulk	Active	Подробности
2N3955A	Harris Corporation	JFET 2N-CH 50V TO71	7617	RFQ	Bulk	Active	Подробности
HA7-5180-8	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8CERDIP	3691	RFQ	Bulk	Active	Подробности
HA2-5180-8	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	8833	RFQ	Bulk	Active	Подробности
JM38510/11106BDC	Harris Corporation	SPDT HIGH-SPEED DRIVER WITH JFET	7658	RFQ	Bulk	Active	Подробности
2N5362	Harris Corporation	JFET N-CH 40V TO72-4	7424	RFQ	Bulk	Active	Подробности
HA2-5170-2	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	2362	RFQ	Bulk	Active	Подробности
HA2-5180-2	Harris Corporation	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT TO99-8	1682	RFQ	Bulk	Active	Подробности
HA2-5160-2S2540	Harris Corporation	100MHZ, JFET INPUT, HIGH SLEW RA	3026	RFQ	Bulk	Active	Подробности

1 / 1 Страницы，Всего 9 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.