JFETs - Qorvo - Дистрибьютор электронных компонентов

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

1 / 1 Страницы，Всего 6 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
UF3N170400B7S	Qorvo	JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7	4000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
UJ3N120035K3S	Qorvo	JFET N-CH 1200V 63A TO247-3	1158	RFQ	Tube	Active	Подробности
UJ3N120070K3S	Qorvo	JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3	5232	RFQ	Tube	Active	Подробности
UJ3N120065K3S	Qorvo	JFET N-CH 1.2KV 34A TO247-3	1967	RFQ	Tube	Active	Подробности
UJ3N065080K3S	Qorvo	JFET N-CH 650V 32A TO247-3	8457	RFQ	Tube	Active	Подробности
UJ3N065025K3S	Qorvo	JFET N-CH 650V 85A TO247-3	3352	RFQ	Tube	Active	Подробности

1 / 1 Страницы，Всего 6 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.