JFETs - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 5

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

5 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
AD8626ARZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	1000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD823AARZ-RL	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	5000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
OP285GSZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	1000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD744JRZ-REEL7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD823ARZ-R7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	3000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD8641ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	3176	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD8512ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	7661	RFQ	Tube	Active	Подробности
LT1055CN8#PBF	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8DIP	2196	RFQ	Tube	Active	Подробности
UF3N170400B7S	Qorvo	JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7	4000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
AD8627ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	19798	RFQ	Tube	Active	Подробности
AD825ARZ	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 1 CIRCUIT 8SOIC	2404	RFQ	Tube	Active	Подробности
ADA4622-2BRZ-R7	Analog Devices Inc.	IC OPAMP JFET 2 CIRCUIT 8SOIC	1000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности

5 / 268 Страницы，Всего 3207 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.