JFETs - onsemi - Дистрибьютор электронных компонентов - Страницы 2

Производитель

Panasonic Electronic Components

National Semiconductor

Renesas Electronics Corporation

Diodes Incorporated

Microchip Technology

Toshiba Semiconductor and Storage

Microsemi Corporation

Texas Instruments

Infineon Technologies

Central Semiconductor Corp

Nisshinbo Micro Devices Inc.

Rochester Electronics, LLC

Qorvo

NTE Electronics, Inc

Solid State Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

InterFET

NTE Electronics, Inc

Intersil

Precision Monolithics

Harris Corporation

Fairchild Semiconductor

NEC Corporation

Sanyo

Linear Technology

Advanced Micro Devices

Burr Brown

Motorola

продукты

2 / 41 Страницы，Всего 484 Данные Предыдущая страница | Следующая страница

Номер запчасти	Производитель	Описание	Запасы	Количество	Упаковка	Статус	Подробности
MMBFJ310LT3G	onsemi	RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23	10000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
J111-D74Z	onsemi	JFET N-CH 35V TO92-3	4172	RFQ	Cut Tape (CT)	Active	Подробности
MMBFJ309LT1G	onsemi	RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3	18000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
J113-D74Z	onsemi	JFET N-CH 35V TO92-3	5198	RFQ	Cut Tape (CT)	Active	Подробности
J112-D26Z	onsemi	JFET N-CH 35V TO92-3	4000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
BSR57	onsemi	JFET N-CH 40V SOT23-3	9000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
J112-D74Z	onsemi	JFET N-CH 35V TO92-3	1905	RFQ	Cut Tape (CT)	Active	Подробности
J111-D26Z	onsemi	JFET N-CH 35V TO92-3	42000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
MMBF5457	onsemi	JFET N-CH 25V SOT23-3	39000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
J176-D74Z	onsemi	JFET P-CH 30V TO92-3	9201	RFQ	Cut Tape (CT)	Active	Подробности
SMMBFJ309LT1G	onsemi	JFET N-CH 25V 30MA SOT23	54000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности
SMMBF4393LT1G	onsemi	JFET N-CH 30V SOT23-3	45000	RFQ	Tape & Reel (TR)	Active	Подробности

2 / 41 Страницы，Всего 484 Данные

JFETs

Транзисторы с эффектом поля (JFET) являются устройствами, используемыми в качестве электронных переключателей управления, усилителей или сопротивления сжатия. Разница потенциала, наложенная на соответствующий полюс между полем и источником, увеличивает сопротивление току, что означает, что меньше тока будет течь в канаве между полем источника и полем утечки. Поскольку заряд течет через полупроводниковые каналы между источниками и терминами утечки, JFETs не нуждаются в смещенном токе.